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发布日期:2025-07-25 06:56 点击次数:125湖北日报讯(记者李源、通信员朱凌燕、实习生邢亦圩)加工建造的陶瓷底座上,放着一块直径8英寸、厚1公分的碳化硅晶锭。责任主谈主员点击电脑屏幕,建造启动入手,激秃顶沿着晶锭边际作念来回畅通。15分钟后,一派500微米厚的碳化硅晶圆便完成切割。
7月21日,中国光谷华中科技大学科技园窜改基地,硅来半导体(武汉)有限公司(以下简称“硅来”)洁净室里,分娩线产能拉满,一派片碳化硅晶圆陆续下线。
碳化硅是第三代化合物半导体材料,与传统单晶硅比较,碳化硅制成的芯片可在高压、高温下沉稳责任。跟着新动力汽车充电电压越来越高、充电后续航里程越来越长,碳化硅成为新动力汽车行业“新宠”。
碳化硅从原材料变为芯片,要资格晶锭滋长、晶圆切割、晶圆抛光、光刻、封装测试等进程。能否又好又快地将晶锭切割成晶圆,关乎碳化硅芯片全产业链全体效力。
当年,切割碳化硅晶锭靠的是一根直径100微米的金刚线,其过程就像用刀切萝卜。在一派1公分厚的碳化硅晶锭上,使用金刚线不错切出10片500微米厚的碳化硅晶圆,但每切1片需用时1天,晶锭损耗率高达50%。
一块碳化硅晶锭的价钱可达6位数,这意味着切出来的晶圆越多,单片资本越低,企业居品竞争力越强。
跟着我国新动力汽车产业高速发展,碳化硅芯片需求量大幅晋升,金刚线切割法费时费料的时弊日渐深化,使用新技艺替代接于当前。
比年来,激光剥离碳化硅晶圆技艺应时而生。激光被誉为“最快的刀”,但作用在碳化硅晶锭时不是传统兴味上的“切”,而是在晶锭里面密积累焦10亿次,用能量改变碳化硅结构,将晶圆从晶锭上“剥下来”。形象地讲,就像太阳把东谈主晒脱一层皮。
要确保一派晶圆厚度均匀,10亿个聚焦点齐得打在同样的深度,这对激光精密摈弃建议高大挑战。
为此,硅来自主研发了一款搀杂光源激光系统,经过上万次锤真金不怕火,为其匹配具备专利技艺的“解放曲面晶片”。
在一系列窜改技艺加握下,这台建造变成“三头六臂”的哪吒,可将激光聚焦深度精密摈弃在100微米到1000微米区间,茂盛不同厚度碳化硅晶圆分娩需求。这套系统从硬件到软件齐杀青100%自主可控。
经过考据,硅来在1公分厚的晶锭上不错切出15到16片500微米厚的晶圆,单片切割时刻仅需15分钟。比较金刚线切割法,单片切割损耗从500微米降至75微米,晶锭损耗率降至15%,单片晶圆资本下跌杰出20%,良率杰出99%。其技艺成见,与国度第三代半导体技艺窜改中心深圳平台研发的同类技艺不相昆季,均达到国外当先水平。
本年5月,硅来首条碳化硅晶圆切割分娩线在光谷投产,年产能瞻望杰出3万片。现在,硅来仍是与国内多家碳化硅产业链龙头企业酿成伙同,畴昔决策在汉新建四五条分娩线,年产值有望杰出10亿元。
统计高慢,湖北以光谷为主体,已调和碳化硅场合的化合物半导体限度企业50多家,长飞先进、先导稀材等一批百亿龙头神色落地,3万多名窜改东谈主智力解,已构建起从研发、中试到量产的产业生态欧洲杯体育,酿成掩盖材料、器件到封装检测的好意思满产业链。